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闪存峰会上，主控大厂群联（Phison）表示，下月，专为入门级NVMe产品准备的入门级E8主控将会推向市场，主力产品会是M.2接口、走PCIe x2通道的SSD。
同时，新一代E12和S12主控的设计目标也公布。
E12用于PCIe NVMe x4的SSD产品，支持3D MLC/TLC/QLC，S12用于SATA3.0的SSD产品，同样支持3D MLC/TLC/QLC。
速度方面，E12主控连续读写3200MB/s和3000MB/s，随机读写均是600K IOPS；S12主控连续读写550MB/s和530MB/s，随机读写分别是100K IOPS和90K IOPS。
值得一提的是，群联也认为，今后4bit的QLC将成为市场入门级的主力，取代如今TLC的位置。
按照产业链的规划，QLC首先在U盘存储上面世，年底进入SD卡，明年初便出现SSD固态盘，明年下半年，手机eMMC闪存甚至是PCIe的SSD也会换用QLC。
目前，东芝和三星都宣布了QLC闪存投产，前者的BiCS 3单片的容量高达96GB。
